ZTX692B

ZTX692B图片1
ZTX692B图片2
ZTX692B图片3
ZTX692B图片4
ZTX692B图片5
ZTX692B图片6
ZTX692B图片7
ZTX692B图片8
ZTX692B图片9
ZTX692B图片10
ZTX692B图片11
ZTX692B概述

Trans GP BJT NPN 70V 1A Automotive 3Pin E-Line

- 双极 BJT - 单 NPN 70 V 1 A 150MHz 1 W 通孔 E-Line(TO-92 兼容)


得捷:
TRANS NPN 70V 1A E-LINE


艾睿:
Implement this versatile NPN ZTX692B GP BJT from Diodes Zetex into an electronic circuit to be used as a current or voltage-controlled switch or amplifier. This bipolar junction transistor&s;s maximum emitter base voltage is 5 V. Its maximum power dissipation is 1000 mW. It has a maximum collector emitter voltage of 70 V and a maximum emitter base voltage of 5 V. This bipolar junction transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 200 °C.


Allied Electronics:
Trans GP BJT NPN 70V 1A 3Pin ELine


安富利:
Trans GP BJT NPN 70V 1A 3-Pin E-Line


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 70V 1A 3-Pin E-Line


Win Source:
TRANS NPN 70V 1A E-LINE


ZTX692B中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 70.0 V

额定电流 1.00 A

极性 NPN

耗散功率 1000 mW

击穿电压集电极-发射极 70 V

集电极最大允许电流 1A

最小电流放大倍数hFE 400 @500mA, 2V

额定功率Max 1 W

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-92-3

外形尺寸

封装 TO-92-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 200℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

数据手册

在线购买ZTX692B
型号: ZTX692B
制造商: Diodes 美台
描述:Trans GP BJT NPN 70V 1A Automotive 3Pin E-Line
替代型号ZTX692B
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

ZTX692B

Diodes 美台

当前型号

当前型号

ZTX692BSTZ

美台

完全替代

ZTX692B和ZTX692BSTZ的区别

ZTX692BSTOA

美台

类似代替

ZTX692B和ZTX692BSTOA的区别

ZTX692BSTOB

美台

功能相似

ZTX692B和ZTX692BSTOB的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台