ZXMP3A16N8TA

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ZXMP3A16N8TA概述

Trans MOSFET P-CH 30V 6.7A 8Pin SOIC T/R

表面贴装型 P 通道 30 V 5.6A(Ta) 1.9W(Ta) 8-SO


得捷:
MOSFET P-CH 30V 5.6A 8SO


贸泽:
MOSFET 30V P-Chnl UMOS


艾睿:
Make an effective common source amplifier using this ZXMP3A16N8TA power MOSFET from Diodes Zetex. Its maximum power dissipation is 2800 mW. Tape and reel packaging will encase the product during shipment, ensuring safe delivery and enabling quick mounting of components. This P channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C.


Allied Electronics:
MOSFET P-Channel 30V 6.7A SOIC8


安富利:
Trans MOSFET P-CH 30V 6.7A 8-Pin SOIC T/R


富昌:
ZXMP3A16N8 系列 P 沟道 30 V 0.04 Ohm 功率MOSFET 表面贴装 - SOIC-8


Chip1Stop:
Trans MOSFET P-CH 30V 6.7A Automotive 8-Pin SOIC T/R


Verical:
Trans MOSFET P-CH 30V 5.6A Automotive 8-Pin SOIC T/R


Win Source:
MOSFET P-CH 30V 5.6A 8-SOIC


DeviceMart:
MOSFET P-CH 30V 5.6A 8-SOIC


ZXMP3A16N8TA中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -30.0 V

额定电流 -6.70 A

漏源极电阻 70.0 mΩ

极性 P-Channel

耗散功率 2.8 W

漏源极电压Vds 30 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 5.60 A

上升时间 6.5 ns

输入电容Ciss 1022pF @15VVds

额定功率Max 1.9 W

下降时间 21.4 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2800 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 5 mm

宽度 4 mm

高度 1.5 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

数据手册

在线购买ZXMP3A16N8TA
型号: ZXMP3A16N8TA
制造商: Diodes 美台
描述:Trans MOSFET P-CH 30V 6.7A 8Pin SOIC T/R

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