ZTX851STZ

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ZTX851STZ概述

ZTX851 系列 60 V 5 A NPN 硅 平面 中等功率 晶体管 - TO-92-3

- 双极 BJT - 单 NPN 60 V 5 A 130MHz 1.2 W 通孔 E-Line(TO-92 兼容)


得捷:
TRANS NPN 60V 5A E-LINE


艾睿:
Design various electronic circuits with this versatile NPN ZTX851STZ GP BJT from Diodes Zetex. This bipolar junction transistor&s;s maximum emitter base voltage is 6 V. Its maximum power dissipation is 1200 mW. This bipolar junction transistor has an operating temperature range of -55 °C to 200 °C. It has a maximum collector emitter voltage of 60 V and a maximum emitter base voltage of 6 V.


Allied Electronics:
NPN Transistor, 5A, E-Line


安富利:
Trans GP BJT NPN 60V 5A 3-Pin E-Line Box


富昌:
ZTX851 系列 60 V 5 A NPN 硅 平面 中等功率 晶体管 - TO-92-3


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 60V 5A 3-Pin E-Line Box


ZTX851STZ中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 60.0 V

额定电流 5.00 A

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 60 V

集电极最大允许电流 5A

最小电流放大倍数hFE 100 @2A, 1V

最大电流放大倍数hFE 120

额定功率Max 1.2 W

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1200 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 E-Line-3

外形尺寸

封装 E-Line-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Box

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

数据手册

ZTX851STZ引脚图与封装图
ZTX851STZ引脚图
ZTX851STZ封装焊盘图
在线购买ZTX851STZ
型号: ZTX851STZ
制造商: Diodes 美台
描述:ZTX851 系列 60 V 5 A NPN 硅 平面 中等功率 晶体管 - TO-92-3
替代型号ZTX851STZ
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