ZTX851 系列 60 V 5 A NPN 硅 平面 中等功率 晶体管 - TO-92-3
- 双极 BJT - 单 NPN 60 V 5 A 130MHz 1.2 W 通孔 E-Line(TO-92 兼容)
得捷:
TRANS NPN 60V 5A E-LINE
艾睿:
Design various electronic circuits with this versatile NPN ZTX851STZ GP BJT from Diodes Zetex. This bipolar junction transistor&s;s maximum emitter base voltage is 6 V. Its maximum power dissipation is 1200 mW. This bipolar junction transistor has an operating temperature range of -55 °C to 200 °C. It has a maximum collector emitter voltage of 60 V and a maximum emitter base voltage of 6 V.
Allied Electronics:
NPN Transistor, 5A, E-Line
安富利:
Trans GP BJT NPN 60V 5A 3-Pin E-Line Box
富昌:
ZTX851 系列 60 V 5 A NPN 硅 平面 中等功率 晶体管 - TO-92-3
Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 60V 5A 3-Pin E-Line Box
额定电压DC 60.0 V
额定电流 5.00 A
极性 NPN
击穿电压集电极-发射极 60 V
集电极最大允许电流 5A
最小电流放大倍数hFE 100 @2A, 1V
最大电流放大倍数hFE 120
额定功率Max 1.2 W
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1200 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 E-Line-3
封装 E-Line-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 200℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Box
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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