ZXMN2088DE6TA概述
双 N-沟道 20 V 200 mΩ 3.8 nC 增强型 Mosfet - SOT-26
MOSFET - 阵列 2 N-通道（双） 20V 1.7A 1.1W 表面贴装型 SOT-23-6
得捷:
MOSFET 2N-CH 20V 1.7A SOT-26
贸泽:
MOSFET 20V DUAL SOT23-6 20V VBR MOSFET
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 20V 2.1A 6-Pin SOT-23 T/R
富昌:
双 N-沟道 20 V 200 mΩ 3.8 nC 增强型 Mosfet - SOT-26
Win Source:
20V Dual SOT23-6 N-channel enhancement mode MOSFET with low gate drive capability
ZXMN2088DE6TA中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 1.3 W
漏源极电压Vds 20 V
连续漏极电流Ids 2.1A
上升时间 3.2 ns
输入电容Ciss 279pF @10VVds
额定功率Max 1.1 W
下降时间 6.2 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1.1 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-23-6
外形尺寸
封装 SOT-23-6
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC