ZTX649STZ参数规格_中文资料_数据手册PDF

ZTX649STZ概述

Trans GP BJT NPN 25V 2A 1000mW Automotive 3Pin E-Line Box

Bipolar BJT Transistor NPN 25V 2A 240MHz 1W Through Hole E-Line TO-92 compatible

得捷:
TRANS NPN 25V 2A E-LINE

艾睿:
Trans GP BJT NPN 25V 2A Automotive 3-Pin E-Line Box

Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 25V 2A 3-Pin E-Line Box

Verical:
Trans GP BJT NPN 25V 2A 1000mW 3-Pin E-Line Box

ZTX649STZ中文资料参数规格

技术参数

频率 240 MHz

额定电压DC 25.0 V

额定电流 2.00 A

极性 NPN

耗散功率 1 W

击穿电压集电极-发射极 25 V

集电极最大允许电流 2A

最小电流放大倍数hFE 100 @1A, 2V

额定功率Max 1 W

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 E-Line

外形尺寸

封装 E-Line

物理参数

材质 Silicon

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Box

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

数据手册

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型号： ZTX649STZ

描述：Trans GP BJT NPN 25V 2A 1000mW Automotive 3Pin E-Line Box

替代型号ZTX649STZ