ZTX549STZ参数规格_中文资料_数据手册PDF

ZTX549STZ概述

PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS

Bipolar BJT Transistor PNP 30V 1A 100MHz 1W Through Hole E-Line TO-92 compatible

得捷:
TRANS PNP 30V 1A E-LINE

贸泽:
Bipolar Transistors - BJT PNP Medium Power

艾睿:
Trans GP BJT PNP 30V 1A 1000mW Automotive 3-Pin TO-92 Box

安富利:
Trans GP BJT PNP 30V 1A 3-Pin TO-92 Box

ZTX549STZ中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC -25.0 V

额定电流 -1.00 A

极性 PNP

耗散功率 1 W

增益频宽积 100 MHz

击穿电压集电极-发射极 30 V

集电极最大允许电流 1A

最小电流放大倍数hFE 100 @500mA, 2V

额定功率Max 1 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 1000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 E-Line-3

外形尺寸

长度 4.95 mm

宽度 3.94 mm

高度 4.95 mm

封装 E-Line-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

数据手册

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型号： ZTX549STZ

描述：PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS

替代型号ZTX549STZ