ZXMHC3A01T8TA

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ZXMHC3A01T8TA概述

ZXMHC3A01T8TA 编带

Mosfet Array 2 N and 2 P-Channel H-Bridge 30V 2.7A, 2A 1.3W Surface Mount SM-8


得捷:
MOSFET 2N/2P-CH 30V 2.7A/2A SM8


立创商城:
ZXMHC3A01T8TA


艾睿:
Create an effective common drain amplifier using this ZXMHC3A01T8TA power MOSFET from Diodes Zetex. Its maximum power dissipation is 1700 mW. In order to guarantee safe delivery and allow for quick mounting of this component after delivery, it will be enclosed in tape and reel packaging during shipment. This N|P channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. This device is made with tmos technology.


Allied Electronics:
30V Enhancement MOSFET H-Bridge SM8


安富利:
Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.1A/2.3A 8-Pin SM8 T/R


富昌:
ZXMHC3A01T8 100 V 0.12 Ohm N/P-沟道 增强模式 MOSFET 半桥 - SM-8


Chip1Stop:
Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.1A/2.3A 8-Pin SM T/R


Verical:
Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.1A/2.3A Automotive 8-Pin SM T/R


儒卓力:
**H-Br 30V 2A 335mOhm SM-8 **


Win Source:
MOSFET 2N/2P-CH 30V 2.7A/2A SM8


DeviceMart:
MOSFET H-BRIDGE DUAL SOT223-8


ZXMHC3A01T8TA中文资料参数规格
技术参数

额定电流 3.10 A

针脚数 8

漏源极电阻 0.12 Ω

极性 N-Channel, P-Channel

耗散功率 1.3 W

阈值电压 1 V

输入电容 204 pF

栅电荷 5.20 nC

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 2.30 A

上升时间 2.3 ns

输入电容Ciss 190pF @25VVds

额定功率Max 1.3 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1700 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOT-223-8

外形尺寸

封装 SOT-223-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

ZXMHC3A01T8TA引脚图与封装图
ZXMHC3A01T8TA引脚图
ZXMHC3A01T8TA封装图
ZXMHC3A01T8TA封装焊盘图
在线购买ZXMHC3A01T8TA
型号: ZXMHC3A01T8TA
制造商: Diodes 美台
描述:ZXMHC3A01T8TA 编带

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