ZXMN10A25GTA

ZXMN10A25GTA图片1
ZXMN10A25GTA图片2
ZXMN10A25GTA图片3
ZXMN10A25GTA图片4
ZXMN10A25GTA图片5
ZXMN10A25GTA图片6
ZXMN10A25GTA图片7
ZXMN10A25GTA图片8
ZXMN10A25GTA图片9
ZXMN10A25GTA图片10
ZXMN10A25GTA概述

N沟道 100V 2.9A

N-Channel 100V 2.9A Ta 2W Ta Surface Mount SOT-223


得捷:
MOSFET N-CH 100V 2.9A SOT223


立创商城:
N沟道 100V 2.9A


艾睿:
If you need to either amplify or switch between signals in your design, then Diodes Zetex&s;s ZXMN10A25GTA power MOSFET is for you. Its maximum power dissipation is 3900 mW. This component will be shipped in tape and reel packaging to allow for effective mounting and safe delivery. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C.


Allied Electronics:
MOSFET N-Channel 100V 4A SOT223


安富利:
Trans MOSFET N-CH 100V 4A 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R


富昌:
ZXMN10A25G 系列 N 沟道 100 V 0.125 Ohm 功率MOSFET 表面贴装-SOT-223-3


Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 2.9A 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R


Win Source:
MOSFET N-CH 100V 2.9A SOT223


DeviceMart:
MOSFET N-CHAN 100V SOT223


ZXMN10A25GTA中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 3.9 W

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 4A

上升时间 3.7 ns

输入电容Ciss 859pF @50VVds

额定功率Max 2 W

下降时间 9.4 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 TO-261-4

外形尺寸

封装 TO-261-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

数据手册

在线购买ZXMN10A25GTA
型号: ZXMN10A25GTA
制造商: Diodes 美台
描述:N沟道 100V 2.9A

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台