ZXTP2039F 系列 PNP 80 V 1 A 硅 平面 中等功率 晶体管 - SOT-23-3
Look no further than Zetex"s PNP general purpose bipolar junction transistor, which can easily operate in high voltage ranges. This bipolar junction transistor"s maximum emitter base voltage is 5 V. Its maximum power dissipation is 350 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging to allow for quick mounting and safe delivery. It has a maximum collector emitter voltage of 60 V and a maximum emitter base voltage of 5 V. This bipolar junction transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C.
频率 150 MHz
额定电压DC -80.0 V
额定电流 -1.00 A
极性 PNP
耗散功率 0.35 W
击穿电压集电极-发射极 60 V
集电极最大允许电流 1A
最小电流放大倍数hFE 100 @500mA, 5V
最大电流放大倍数hFE 100 @1mA, 5V
额定功率Max 350 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 350 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
封装 SOT-23-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
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