ZVN4310GTA

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ZVN4310GTA概述

ZVN4310GTA 编带

Increase the current or voltage in your circuit with this power MOSFET from Zetex. Its maximum power dissipation is 3000 mW. This component will be shipped in tape and reel packaging to allow for effective mounting and safe delivery. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C.

ZVN4310GTA中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 100 V

额定电流 1.70 A

针脚数 4

漏源极电阻 0.4 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 3 W

阈值电压 1 V

输入电容 350 pF

漏源极电压Vds 100 V

漏源击穿电压 100 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 1.67 A

上升时间 25 ns

输入电容Ciss 350pF @25VVds

额定功率Max 3 W

下降时间 16 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 TO-261-4

外形尺寸

封装 TO-261-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买ZVN4310GTA
型号: ZVN4310GTA
制造商: Diodes 美台
描述:ZVN4310GTA 编带
替代型号ZVN4310GTA
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

ZVN4310GTA

Diodes 美台

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