双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT PNP Medium Power
Design various electronic circuits with this versatile PNP GP BJT from Zetex. This bipolar junction transistor"s maximum emitter base voltage is 5 V. Its maximum power dissipation is 1000 mW. This bipolar junction transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 200 °C. It has a maximum collector emitter voltage of 45 V and a maximum emitter base voltage of 5 V.
频率 150 MHz
额定电压DC -45.0 V
额定电流 -1.00 A
极性 PNP
耗散功率 1 W
击穿电压集电极-发射极 45 V
集电极最大允许电流 1A
最小电流放大倍数hFE 100 @150mA, 10V
额定功率Max 1 W
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 E-Line-3
长度 4.77 mm
宽度 2.41 mm
高度 4.01 mm
封装 E-Line-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 200℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Box
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
ZTX550STZ Diodes 美台 | 当前型号 | 当前型号 |
ZTX550STOA 美台 | 完全替代 | ZTX550STZ和ZTX550STOA的区别 |
ZTX550 美台 | 类似代替 | ZTX550STZ和ZTX550的区别 |
ZTX450 美台 | 类似代替 | ZTX550STZ和ZTX450的区别 |