ZXM61N02F参数规格_中文资料_数据手册PDF

ZXM61N02F概述

DIODES INC. ZXM61N02F 晶体管, MOSFET, N沟道, 1.7 A, 20 V, 180 mohm, 4.5 V, 700 mV

The is an N-channel Enhancement Mode MOSFET utilizes an unique structure that combines the benefits of low on-resistance with fast switching speed. This makes them ideal for high efficiency, low voltage applications.

.: Low on-resistance

.: Fast switching speed

.: Low threshold

.: Low gate drive

ZXM61N02F中文资料参数规格

技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.18 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 625 mW

阈值电压 700 mV

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 1.70 A

工作温度Max 150 ℃

封装参数

引脚数 3

封装 SOT-23

外形尺寸

封装 SOT-23

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Cut Tape CT

制造应用电机驱动与控制, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买ZXM61N02F

型号： ZXM61N02F

制造商： Diodes 美台

描述：DIODES INC. ZXM61N02F 晶体管, MOSFET, N沟道, 1.7 A, 20 V, 180 mohm, 4.5 V, 700 mV

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