ZXMN2B03E6 系列 20 V 0.04 Ohm N 沟道 增强模式 MOSFET - SOT-23-6
N-Channel 20V 4.3A Ta 1.1W Ta Surface Mount SOT-23-6
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Win Source:
MOSFET N-CH 20V 4.3A SOT23-6
通道数 1
极性 N-CH
耗散功率 1.7 W
阈值电压 1 V
漏源极电压Vds 20 V
连续漏极电流Ids 5.4A
上升时间 6.2 ns
输入电容Ciss 1160pF @10VVds
额定功率Max 1.1 W
下降时间 12.4 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1.1W Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-23-6
长度 3.1 mm
宽度 1.8 mm
高度 1.3 mm
封装 SOT-23-6
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC