DIODES INC. ZTX757 单晶体管 双极, PNP, 300 V, 30 MHz, 1 W, 500 mA, 50 hFE
- 双极 BJT - 单 PNP 300 V 500 mA 30MHz 1 W 通孔 E-Line(TO-92 兼容)
得捷:
TRANS PNP 300V 0.5A E-LINE
e络盟:
单晶体管 双极, PNP, 300 V, 30 MHz, 1 W, 500 mA, 50 hFE
艾睿:
The PNP ZTX757 general purpose bipolar junction transistor, developed by Diodes Zetex, is the perfect solution for your high-current density needs. This bipolar junction transistor&s;s maximum emitter base voltage is 5 V. Its maximum power dissipation is 1000 mW. This bipolar junction transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 200 °C. It has a maximum collector emitter voltage of 300 V and a maximum emitter base voltage of 5 V.
安富利:
Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 3-Pin E-Line
Verical:
Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 1000mW 3-Pin E-Line
Newark:
# DIODES INC. ZTX757 Bipolar BJT Single Transistor, PNP, 300 V, 30 MHz, 1 W, 500 mA, 50 hFE
Win Source:
TRANS PNP 300V 0.5A E-LINE
频率 30 MHz
额定电压DC -300 V
额定电流 -500 mA
针脚数 3
极性 PNP
耗散功率 1 W
击穿电压集电极-发射极 300 V
集电极最大允许电流 0.5A
最小电流放大倍数hFE 50 @100mA, 5V
额定功率Max 1 W
直流电流增益hFE 50
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 E-Line-3
封装 E-Line-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 200℃
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
制造应用 工业, 电源管理
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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