ZXMN10A25K 系列 N 沟道 100 V 0.125 Ohm 功率 MOSFET 表面贴装 -TO-252-3
Amplify electronic signals and switch between them with the help of Zetex"s power MOSFET. Its maximum power dissipation is 9850 mW. In order to ensure safe delivery and enable quick mounting of this component after delivery, it will be encased in tape and reel packaging during shipment. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.125 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 9.85 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 100 V
漏源击穿电压 100 V
连续漏极电流Ids 6.40 A
上升时间 3.7 ns
输入电容Ciss 859pF @50VVds
额定功率Max 2.11 W
下降时间 9.4 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.11W Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.39 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 车用, 军用与航空, 国防, 电机驱动与控制, 电源管理
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
军工级 Yes
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99