ZXMN20B28KTC

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ZXMN20B28KTC概述

N-沟道 200 V 750 mΩ 8.1 nC 表面贴装 Mosfet - TO-252

N-Channel 200 V 750 mO 8.1 nC Surface Mount Mosfet - TO-252


得捷:
MOSFET N-CH 200V 1.5A TO252-3


贸泽:
MOSFET ENHANCE MODE MOSFET 200V N-CHANNEL


艾睿:
As an alternative to traditional transistors, the ZXMN20B28KTC power MOSFET from Diodes Zetex can be used to both amplify and switch electronic signals. Its maximum power dissipation is 10200 mW. In order to ensure safe delivery and enable quick mounting of this component after delivery, it will be encased in tape and reel packaging during shipment. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.


Allied Electronics:
MOSFET N-Channel 200V 2.3A TO252


安富利:
Trans MOSFET N-CH 200V 2.3A 3-Pin2+Tab TO-252 T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 200V 2.3A Automotive 3-Pin2+Tab TO-252 T/R


儒卓力:
**MOSFET 200V 750mOhm 2A TO252 **


Win Source:
MOSFET N-CH 200V 1.5A DPAK


DeviceMart:
MOSFET N-CH 200V 1.5A DPAK


ZXMN20B28KTC中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 4.3 W

漏源极电压Vds 200 V

连续漏极电流Ids 2.3A

上升时间 76.9 ns

输入电容Ciss 358pF @25VVds

额定功率Max 2.2 W

下降时间 57.1 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 10200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买ZXMN20B28KTC
型号: ZXMN20B28KTC
制造商: Diodes 美台
描述:N-沟道 200 V 750 mΩ 8.1 nC 表面贴装 Mosfet - TO-252

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