ZXTP25100BFHTA

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ZXTP25100BFHTA概述

双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT PNP Medium Power

Zetex has the solution to your circuit"s high-voltage requirements with their PNP general purpose bipolar junction transistor. This bipolar junction transistor"s maximum emitter base voltage is 7 V. Its maximum power dissipation is 1810 mW. In order to ensure safe delivery and enable quick mounting of this component after delivery, it will be encased in tape and reel packaging during shipment. This bipolar junction transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C. It has a maximum collector emitter voltage of 100 V and a maximum emitter base voltage of 7 V.

ZXTP25100BFHTA中文资料参数规格
技术参数

频率 200 MHz

额定电压DC -100 V

额定电流 -2.00 A

极性 PNP

耗散功率 1810 mW

击穿电压集电极-发射极 100 V

集电极最大允许电流 2A

最小电流放大倍数hFE 100 @10mA, 2V

额定功率Max 1.25 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1810 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 3.05 mm

宽度 1.4 mm

高度 1 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买ZXTP25100BFHTA
型号: ZXTP25100BFHTA
制造商: Diodes 美台
描述:双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT PNP Medium Power

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