NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR
- 双极 BJT - 单 NPN 17.5 V 4 A 150MHz 1 W 通孔 E-Line（TO-92 兼容）
得捷:
TRANS NPN 17.5V 4A E-LINE
贸泽:
Bipolar Transistors - BJT NPN High Gain & Crnt
艾睿:
Trans GP BJT NPN 17.5V 4A 1000mW Automotive 3-Pin E-Line Box
安富利:
Trans GP BJT NPN 17.5V 4A 3-Pin E-Line Box
儒卓力:
**NPN TRANS.17,5V 4A TO92E-LINE **
Win Source:
TRANS NPN 17.5V 4A E-LINE
额定电压DC 17.5 V
额定电流 4.00 A
极性 NPN
耗散功率 1 W
增益频宽积 150 MHz
击穿电压集电极-发射极 17.5 V
集电极最大允许电流 4A
最小电流放大倍数hFE 300 @1A, 2V
最大电流放大倍数hFE 280 @10mA, 2V
额定功率Max 1 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 1000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 E-Line-3
长度 4.77 mm
宽度 2.41 mm
高度 4.01 mm
封装 E-Line-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 200℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
ECCN代码 EAR99