ZXMN6A07FQTA

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ZXMN6A07FQTA概述

N-沟道 60 V 0.25 Ω 3.2 nC 表面贴装 增强型 Mosfet - SOT-23

N-Channel 60 V 0.25 O 3.2 nC SMT Enhancement Mode Mosfet - SOT-23


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ZXMN6A07FQTA


艾睿:
If you need to either amplify or switch between signals in your design, then Diodes Zetex&s;s ZXMN6A07FQTA power MOSFET is for you. Its maximum power dissipation is 806 mW. In order to ensure safe delivery and enable quick mounting of this component after delivery, it will be encased in tape and reel packaging during shipment. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.


安富利:
60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET


Verical:
Trans MOSFET N-CH 60V 1.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


ZXMN6A07FQTA中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 0.806 W

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 1.2A

上升时间 1.4 ns

输入电容Ciss 166pF @40VVds

下降时间 2 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 806 mW

封装参数

引脚数 3

封装 SOT-23

外形尺寸

封装 SOT-23

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买ZXMN6A07FQTA
型号: ZXMN6A07FQTA
制造商: Diodes 美台
描述:N-沟道 60 V 0.25 Ω 3.2 nC 表面贴装 增强型 Mosfet - SOT-23

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