ZXTN2010ZQTA

ZXTN2010ZQTA中文资料参数规格
技术参数

额定功率 2.1 W

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 60 V

集电极最大允许电流 5A

最大电流放大倍数hFE 300

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2100 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 SOT-89

外形尺寸

封装 SOT-89

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: ZXTN2010ZQTA
制造商: Diodes 美台
描述:60V NPN LOW SATURATION MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT89

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