ZTX601B

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ZTX601B概述

ZTX601 系列 160V 1A NPN 硅 平面 中等功率 达林顿晶体管 TO92

- 双极 BJT - 单 NPN - 达林顿 160 V 1 A 250MHz 1 W 通孔 E-Line(TO-92 兼容)


得捷:
TRANS NPN DARL 160V 1A E-LINE


艾睿:
Thanks to Diodes Zetex&s;s NPN ZTX601B Darlington transistor, you can easily amplify a current and output a much higher current gain value within your circuit. This product&s;s maximum continuous DC collector current is 1 A, while its minimum DC current gain is 5000@50mA@10 V|10000@500mA@10V|5000@1A@10V. It has a maximum collector emitter saturation voltage of 1.1@5mA@0.5A|1.2@10mA@1A V. This Darlington transistor array&s;s maximum emitter base voltage is 10 V, while its maximum base emitter saturation voltage is 1.9@10mA@1A V. Its maximum power dissipation is 1000 mW. This Darlington transistor array has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 200 °C. It has a maximum collector emitter voltage of 160 V and a maximum emitter base voltage of 10 V.


Allied Electronics:
Transistors; Darlington; NPN Darlington


Chip1Stop:
Trans Darlington NPN 160V 1A 3-Pin E-Line


Verical:
Trans Darlington NPN 160V 1A 1000mW 3-Pin E-Line


Win Source:
TRANS NPN DARL 160V 1A E-LINE


ZTX601B中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 160 V

额定电流 1.00 A

极性 NPN

耗散功率 1 W

击穿电压集电极-发射极 160 V

集电极最大允许电流 1A

最小电流放大倍数hFE 10000 @500mA, 10V

额定功率Max 1 W

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -55 ℃

增益带宽 250 MHz

耗散功率Max 1 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 E-Line-3

外形尺寸

封装 E-Line-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买ZTX601B
型号: ZTX601B
制造商: Diodes 美台
描述:ZTX601 系列 160V 1A NPN 硅 平面 中等功率 达林顿晶体管 TO92
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