ZXTP03200BGTA

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ZXTP03200BGTA概述

200V PNP Low VCEsat transistor in SOT223

- 双极 BJT - 单 PNP 200 V 2 A 105MHz 1.25 W 表面贴装型 SOT-223-3


得捷:
TRANS PNP 200V 2A SOT223-3


立创商城:
PNP 200V 2A


艾睿:
Trans GP BJT PNP 200V 2A 5800mW Automotive 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R


Win Source:
TRANS PNP 200V 2A


ZXTP03200BGTA中文资料参数规格
技术参数

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 200 V

集电极最大允许电流 2A

最小电流放大倍数hFE 100 @1A, 5V

额定功率Max 1.25 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 5800 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 TO-261-4

外形尺寸

封装 TO-261-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

数据手册

在线购买ZXTP03200BGTA
型号: ZXTP03200BGTA
制造商: Diodes 美台
描述:200V PNP Low VCEsat transistor in SOT223
替代型号ZXTP03200BGTA
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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Diodes 美台

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