Trans GP BJT PNP 200V 2A 1200mW Automotive 3Pin E-Line Box
Zetex has the solution to your circuit"s high-voltage requirements with their PNP general purpose bipolar junction transistor. This bipolar junction transistor"s maximum emitter base voltage is 6 V. Its maximum power dissipation is 1200 mW. It has a maximum collector emitter voltage of 200 V and a maximum emitter base voltage of 6 V. This bipolar junction transistor has an operating temperature range of -55 °C to 200 °C.
频率 110 MHz
额定电压DC -200 V
额定电流 -2.00 A
极性 PNP
耗散功率 1.2 W
击穿电压集电极-发射极 200 V
集电极最大允许电流 2A
最小电流放大倍数hFE 100 @1A, 5V
额定功率Max 1.58 W
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1200 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 E-Line-3
封装 E-Line-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 200℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Box
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
ZTX956STZ Diodes 美台 | 当前型号 | 当前型号 |
ZTX956 美台 | 完全替代 | ZTX956STZ和ZTX956的区别 |
FZT956TA 美台 | 功能相似 | ZTX956STZ和FZT956TA的区别 |
ZTX956STOA 美台 | 功能相似 | ZTX956STZ和ZTX956STOA的区别 |