ZXMN6A08E6QTA

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ZXMN6A08E6QTA概述

MOSFET 60V N-CH ENH FET 20VGS 80MOHM MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT23-6

MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT23-6


得捷:
MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT26


贸泽:
MOSFET 60V N-Ch Enh FET 20Vgs 80mOhm


艾睿:
MOSFET 60V N-CH ENH FET 20VGS 80MOHM~ MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT23-6


安富利:
Trans MOSFET N-CH 60V 3.5A 6-Pin SOT-26 T/R


Verical:
MOSFET 60V N-CH ENH FET 20VGS 80MOHM~ MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT23-6


Win Source:
MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT23-6


ZXMN6A08E6QTA中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 150 mΩ

耗散功率 8.8 W

阈值电压 1 V

漏源极电压Vds 60 V

漏源击穿电压 60 V

上升时间 2.1 ns

输入电容Ciss 459pF @40VVds

下降时间 4.6 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1.1W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-26-6

外形尺寸

封装 SOT-26-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

数据手册

ZXMN6A08E6QTA引脚图与封装图
ZXMN6A08E6QTA引脚图
ZXMN6A08E6QTA封装图
ZXMN6A08E6QTA封装焊盘图
在线购买ZXMN6A08E6QTA
型号: ZXMN6A08E6QTA
制造商: Diodes 美台
描述:MOSFET 60V N-CH ENH FET 20VGS 80MOHM MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT23-6

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