NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH CURRENT TRANSISTOR
- 双极 BJT - 单 NPN 100MHz 通孔 E-Line（TO-92 兼容）
得捷:
TRANS NPN 25V 5A E-LINE
贸泽:
Bipolar Transistors - BJT NPN Big Chip SELine
艾睿:
Trans GP BJT NPN 25V 5A Automotive 3-Pin E-Line Box
安富利:
Trans GP BJT NPN 25V 5A 3-Pin E-Line Box
Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 25V 5A 3-Pin E-Line Box
额定电压DC 25.0 V
额定电流 5.00 A
极性 NPN
耗散功率 1.2 W
增益频宽积 100 MHz
击穿电压集电极-发射极 25 V
集电极最大允许电流 5A
最小电流放大倍数hFE 300 @1A, 1V
最大电流放大倍数hFE 300 @10mA, 1V
额定功率Max 1.2 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 1200 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-92-3
长度 4.77 mm
宽度 2.41 mm
高度 4.01 mm
封装 TO-92-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 200℃
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
ZTX869STZ Diodes 美台 | 当前型号 | 当前型号 |
ZTX869 美台 | 类似代替 | ZTX869STZ和ZTX869的区别 |
ZTX869STOA 美台 | 类似代替 | ZTX869STZ和ZTX869STOA的区别 |
FZT869TA 美台 | 功能相似 | ZTX869STZ和FZT869TA的区别 |