ZTX696BSTZ

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ZTX696BSTZ概述

Bipolar Transistors - BJT NPN Super E-Line

Bipolar BJT Transistor NPN 180V 500mA 70MHz 1W Through Hole E-Line TO-92 compatible


得捷:
TRANS NPN 180V 0.5A E-LINE


贸泽:
Bipolar Transistors - BJT NPN Super E-Line


艾睿:
Trans GP BJT NPN 180V 0.5A 1000mW Automotive 3-Pin E-Line Box


安富利:
Trans GP BJT NPN 180V 0.5A 3-Pin E-Line Box


Win Source:
TRANS NPN 180V 0.5A E-LINE


ZTX696BSTZ中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 180 V

额定电流 500 mA

极性 NPN

耗散功率 1 W

增益频宽积 70 MHz

击穿电压集电极-发射极 180 V

集电极最大允许电流 0.5A

最小电流放大倍数hFE 150 @200mA, 5V

最大电流放大倍数hFE 500 @100mA, 5V

额定功率Max 1 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 1000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 E-Line-3

外形尺寸

长度 4.77 mm

宽度 2.41 mm

高度 4.01 mm

封装 E-Line-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

数据手册

在线购买ZTX696BSTZ
型号: ZTX696BSTZ
制造商: Diodes 美台
描述:Bipolar Transistors - BJT NPN Super E-Line

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