ZXTP2012ASTZ

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ZXTP2012ASTZ概述

TRANS PNP MED PWR 60V TO92-3

Bipolar BJT Transistor PNP 60V 3.5A 120MHz 1W Through Hole E-Line TO-92 compatible


得捷:
TRANS PNP 60V 3.5A E-LINE


贸泽:
Bipolar Transistors - BJT PNP 60V 3.5A 3-PIN


艾睿:
Trans GP BJT PNP 60V 3.5A Automotive 3-Pin E-Line T/R


Allied Electronics:
Transistor PNP 60V 3.5A E-Line


安富利:
Trans GP BJT PNP 60V 3.5A 3-Pin E-Line T/R


Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 60V 3.5A 3-Pin E-Line T/R


ZXTP2012ASTZ中文资料参数规格
技术参数

极性 PNP

耗散功率 1000 mW

增益频宽积 120 MHz

击穿电压集电极-发射极 60 V

集电极最大允许电流 3.5A

最小电流放大倍数hFE 100 @1A, 1V

最大电流放大倍数hFE 100 @10mA, 1V

额定功率Max 1 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-92-3

外形尺寸

长度 4.77 mm

宽度 2.41 mm

高度 4.01 mm

封装 TO-92-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

数据手册

在线购买ZXTP2012ASTZ
型号: ZXTP2012ASTZ
制造商: Diodes 美台
描述:TRANS PNP MED PWR 60V TO92-3
替代型号ZXTP2012ASTZ
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ZXTP2012ASTZ

Diodes 美台

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ZXTP2012A

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ZXTP2012ASTZ和ZXTP2012A的区别

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