PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH CURRENT TRANSISTOR
- 双极 BJT - 单 PNP 20 V 4.5 A 80MHz 1.2 W 通孔 E-Line(TO-92 兼容)
得捷:
TRANS PNP 20V 4.5A E-LINE
艾睿:
Trans GP BJT PNP 20V 4.5A Automotive 3-Pin E-Line Box
安富利:
Trans GP BJT PNP 20V 4.5A 3-Pin E-Line Box
Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 20V 4.5A 3-Pin E-Line Box
额定电压DC -20.0 V
额定电流 -4.50 A
极性 PNP
耗散功率 1200 mW
击穿电压集电极-发射极 20 V
集电极最大允许电流 4.5A
最小电流放大倍数hFE 100 @1A, 1V
额定功率Max 1.2 W
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1200 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 E-Line-3
封装 E-Line-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 200℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Box
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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ZTX948STZ Diodes 美台 | 当前型号 | 当前型号 |
ZTX948STOA 美台 | 完全替代 | ZTX948STZ和ZTX948STOA的区别 |
ZTX948 美台 | 类似代替 | ZTX948STZ和ZTX948的区别 |
FZT948TA 美台 | 功能相似 | ZTX948STZ和FZT948TA的区别 |