ZTX618STZ概述
NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR
Bipolar BJT Transistor NPN 20V 3.5A 140MHz 1W Through Hole E-Line TO-92 compatible
得捷:
TRANS NPN 20V 3.5A E-LINE
贸泽:
Bipolar Transistors - BJT NPN High Gain
艾睿:
Trans GP BJT NPN 20V 3.5A 1000mW Automotive 3-Pin E-Line Box
安富利:
Trans GP BJT NPN 20V 3.5A 3-Pin E-Line Box
Win Source:
TRANS NPN 20V 3.5A E-LINE
ZTX618STZ中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 20.0 V
额定电流 3.50 A
极性 NPN
耗散功率 1 W
增益频宽积 140 MHz
击穿电压集电极-发射极 20 V
集电极最大允许电流 3.5A
最小电流放大倍数hFE 300 @200mA, 2V
最大电流放大倍数hFE 200 @10mA, 2V
额定功率Max 1 W
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 E-Line-3
外形尺寸
长度 4.77 mm
宽度 2.41 mm
高度 4.01 mm
封装 E-Line-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 200℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC