ZXTN2005ZTA

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ZXTN2005ZTA概述

Trans GP BJT NPN 25V 5.5A 2100mW Automotive 4Pin3+Tab SOT-89 T/R

- 双极 BJT - 单 NPN 25 V 5.5 A 150MHz 2.1 W 表面贴装型 SOT-89-3


得捷:
TRANS NPN 25V 5.5A SOT89-3


立创商城:
NPN 25V 5.5A


艾睿:
Implement this versatile NPN ZXTN2005ZTA GP BJT from Diodes Zetex into an electronic circuit to be used as a current or voltage-controlled switch or amplifier. This bipolar junction transistor&s;s maximum emitter base voltage is 7 V. Its maximum power dissipation is 2100 mW. Tape and reel packaging will encase this product during shipment, in order to ensure safe delivery and enable quick mounting of components. This bipolar junction transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. It has a maximum collector emitter voltage of 25 V and a maximum emitter base voltage of 7 V.


安富利:
Trans GP BJT NPN 25V 5.5A 4-Pin3+Tab SOT-89 T/R


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 25V 5.5A 2100mW Automotive 4-Pin3+Tab SOT-89 T/R


Verical:
Trans GP BJT NPN 25V 5.5A Automotive 4-Pin3+Tab SOT-89 T/R


Win Source:
TRANS NPN 25V 5.5A SOT89


ZXTN2005ZTA中文资料参数规格
技术参数

频率 150 MHz

额定电压DC 25.0 V

额定电流 5.50 A

极性 NPN

耗散功率 2.1 W

击穿电压集电极-发射极 25 V

集电极最大允许电流 5.5A

最小电流放大倍数hFE 300 @1A, 1V

最大电流放大倍数hFE 300

额定功率Max 2.1 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2100 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 SOT-89-3

外形尺寸

宽度 2.6 mm

封装 SOT-89-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

数据手册

在线购买ZXTN2005ZTA
型号: ZXTN2005ZTA
制造商: Diodes 美台
描述:Trans GP BJT NPN 25V 5.5A 2100mW Automotive 4Pin3+Tab SOT-89 T/R

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