NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR
Bipolar BJT Transistor NPN 120V 500mA 130MHz 1W Through Hole E-Line TO-92 compatible
得捷:
TRANS NPN 120V 0.5A E-LINE
立创商城:
ZTX694BSTZ
贸泽:
Bipolar Transistors - BJT NPN Super E-Line
艾睿:
Trans GP BJT NPN 120V 0.5A 1000mW Automotive 3-Pin E-Line Box
安富利:
Trans GP BJT NPN 120V 0.5A 3-Pin E-Line Box
额定电压DC 120 V
额定电流 500 mA
额定功率 1 W
极性 NPN
耗散功率 1 W
增益频宽积 130 MHz
击穿电压集电极-发射极 120 V
集电极最大允许电流 0.5A
最小电流放大倍数hFE 400 @200mA, 2V
最大电流放大倍数hFE 500 @100mA, 2V
额定功率Max 1 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 1000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 E-Line-3
长度 4.77 mm
宽度 2.41 mm
高度 4.01 mm
封装 E-Line-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 200℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
ZTX694BSTZ Diodes 美台 | 当前型号 | 当前型号 |
ZTX694B 美台 | 类似代替 | ZTX694BSTZ和ZTX694B的区别 |
ZTX694BSTOA 美台 | 功能相似 | ZTX694BSTZ和ZTX694BSTOA的区别 |