PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR
- 双极 BJT - 单 PNP 25 V 3 A 100MHz 1 W 通孔 E-Line（TO-92 兼容）
得捷:
TRANS PNP 25V 3A E-LINE
艾睿:
Trans GP BJT PNP 25V 3A 1000mW Automotive 3-Pin E-Line Box
安富利:
Trans GP BJT PNP 25V 3A 3-Pin E-Line Box
额定电压DC -25.0 V
额定电流 -3.00 A
极性 PNP
耗散功率 1000 mW
击穿电压集电极-发射极 25 V
集电极最大允许电流 3A
最小电流放大倍数hFE 300 @10mA, 2V
额定功率Max 1 W
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 E-Line-3
封装 E-Line-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 200℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Box
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
ZTX789ASTZ Diodes 美台 | 当前型号 | 当前型号 |
ZTX789ASTOA 美台 | 完全替代 | ZTX789ASTZ和ZTX789ASTOA的区别 |
ZTX789A 美台 | 类似代替 | ZTX789ASTZ和ZTX789A的区别 |