ZTX689BSTZ

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ZTX689BSTZ概述

Trans GP BJT NPN 20V 3A 1000mW Automotive 3Pin E-Line Box

Bipolar BJT Transistor NPN 20V 3A 150MHz 1W Through Hole E-Line TO-92 compatible


得捷:
TRANS NPN 20V 3A E-LINE


贸泽:
Bipolar Transistors - BJT NPN Super E-Line


艾睿:
Use this versatile NPN ZTX689BSTZ GP BJT from Diodes Zetex to design various electronic circuits. This bipolar junction transistor&s;s maximum emitter base voltage is 5 V. Its maximum power dissipation is 1000 mW. It has a maximum collector emitter voltage of 20 V and a maximum emitter base voltage of 5 V. This bipolar junction transistor has an operating temperature range of -55 °C to 200 °C.


安富利:
Trans GP BJT NPN 20V 3A 3-Pin E-Line Box


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 20V 3A 3-Pin E-Line Box


Verical:
Trans GP BJT NPN 20V 3A 1000mW 3-Pin E-Line Box


ZTX689BSTZ中文资料参数规格
技术参数

频率 150 MHz

额定电压DC 25.0 V

额定电流 3.00 A

极性 NPN

耗散功率 1 W

增益频宽积 150 MHz

击穿电压集电极-发射极 20 V

集电极最大允许电流 3A

最小电流放大倍数hFE 400 @2A, 2V

额定功率Max 1 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 1000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-92-3

外形尺寸

长度 4.77 mm

宽度 2.41 mm

高度 4.01 mm

封装 TO-92-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

数据手册

在线购买ZTX689BSTZ
型号: ZTX689BSTZ
制造商: Diodes 美台
描述:Trans GP BJT NPN 20V 3A 1000mW Automotive 3Pin E-Line Box
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