Trans GP BJT NPN 20V 3A 1000mW Automotive 3Pin E-Line Box
Bipolar BJT Transistor NPN 20V 3A 150MHz 1W Through Hole E-Line TO-92 compatible
得捷:
TRANS NPN 20V 3A E-LINE
贸泽:
Bipolar Transistors - BJT NPN Super E-Line
艾睿:
Use this versatile NPN ZTX689BSTZ GP BJT from Diodes Zetex to design various electronic circuits. This bipolar junction transistor&s;s maximum emitter base voltage is 5 V. Its maximum power dissipation is 1000 mW. It has a maximum collector emitter voltage of 20 V and a maximum emitter base voltage of 5 V. This bipolar junction transistor has an operating temperature range of -55 °C to 200 °C.
安富利:
Trans GP BJT NPN 20V 3A 3-Pin E-Line Box
Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 20V 3A 3-Pin E-Line Box
Verical:
Trans GP BJT NPN 20V 3A 1000mW 3-Pin E-Line Box
频率 150 MHz
额定电压DC 25.0 V
额定电流 3.00 A
极性 NPN
耗散功率 1 W
增益频宽积 150 MHz
击穿电压集电极-发射极 20 V
集电极最大允许电流 3A
最小电流放大倍数hFE 400 @2A, 2V
额定功率Max 1 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 1000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-92-3
长度 4.77 mm
宽度 2.41 mm
高度 4.01 mm
封装 TO-92-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 200℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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ZTX689BSTZ Diodes 美台 | 当前型号 | 当前型号 |
ZTX689B 美台 | 完全替代 | ZTX689BSTZ和ZTX689B的区别 |
ZTX689BSTOA 美台 | 类似代替 | ZTX689BSTZ和ZTX689BSTOA的区别 |