ZXMN3B01F 系列 N 沟道 30 V 0.15 Ohm 功率 MOSFET 表面贴装 - SOT-23-3
表面贴装型 N 通道 30 V 1.7A(Ta) 625mW(Ta) SOT-23-3
得捷:
MOSFET N-CH 30V 1.7A SOT23-3
立创商城:
N沟道 30V 1.7A
贸泽:
MOSFET 30V N Chnl UMOS
艾睿:
Make an effective common gate amplifier using this ZXMN3B01FTA power MOSFET from Diodes Zetex. Its maximum power dissipation is 806 mW. In order to ensure safe delivery and enable quick mounting of this component after delivery, it will be encased in tape and reel packaging during shipment. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C.
安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Win Source:
MOSFET N-CH 30V 1.7A SOT23-3
额定电压DC 30.0 V
额定电流 2.00 A
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.15 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 625 mW
阈值电压 700 mV
输入电容 258 pF
栅电荷 2.93 nC
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30 V
栅源击穿电压 ±12.0 V
连续漏极电流Ids 2.00 A
上升时间 3.98 ns
输入电容Ciss 258pF @15VVds
额定功率Max 625 mW
下降时间 5.27 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 806 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 3.04 mm
宽度 1.4 mm
高度 1.02 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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ZXMN3B01FTA Diodes 美台 | 当前型号 | 当前型号 |
BSH108@215 恩智浦 | 功能相似 | ZXMN3B01FTA和BSH108@215的区别 |