DIODES INC. ZX5T849GTA 单晶体管 双极, NPN, 30 V, 140 MHz, 1.6 W, 7 A, 200 hFE
The is a NPN medium power 5th generation low saturation Bipolar Transistor offers extremely low on state losses making it ideal for use in DC-to-DC circuits and various driving and power management functions.
- .
- Extremely low equivalent ON-resistance
- .
- 28mR RSAT at 6.5A
- .
- Up to 20A peak current
- .
- Very low saturation voltage
- .
- Excellent hFE characteristics up to 20A
- .
- -55 to 150°C Operating temperature range
额定电压DC 30.0 V
额定电流 7.00 A
针脚数 4
极性 NPN
耗散功率 1.6 W
击穿电压集电极-发射极 30 V
集电极最大允许电流 7A
最小电流放大倍数hFE 100 @1A, 1V
额定功率Max 3 W
直流电流增益hFE 200
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3000 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 TO-261-4
封装 TO-261-4
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 电机驱动与控制, 工业, 计算机和计算机周边, 电源管理
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
ZX5T849GTA Diodes 美台 | 当前型号 | 当前型号 |
FZT849TA 美台 | 类似代替 | ZX5T849GTA和FZT849TA的区别 |
ZXTN2007GTA 美台 | 类似代替 | ZX5T849GTA和ZXTN2007GTA的区别 |