N沟道 100V 320mA
Make an effective common source amplifier using this power MOSFET from Zetex. Its maximum power dissipation is 700 mW. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.
额定电压DC 100 V
额定电流 320 mA
漏源极电阻 4.50 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 700 mW
输入电容 75.0 pF
漏源极电压Vds 100 V
漏源击穿电压 100 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 320 mA
上升时间 12 ns
输入电容Ciss 75pF @25VVds
额定功率Max 700 mW
下降时间 12 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 700 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-92-3
长度 4.77 mm
宽度 2.41 mm
高度 4.01 mm
封装 TO-92-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
ZVNL110A Diodes 美台 | 当前型号 | 当前型号 |
BSS123-7-F 美台 | 类似代替 | ZVNL110A和BSS123-7-F的区别 |
ZVP2106A 美台 | 类似代替 | ZVNL110A和ZVP2106A的区别 |
2N7002K-7 美台 | 功能相似 | ZVNL110A和2N7002K-7的区别 |