ZTX651STZ 编带
The three terminals of this NPN GP BJT from Zetex give it the ability to be used as either an electronic switch or amplifier. This bipolar junction transistor"s maximum emitter base voltage is 7 V. Its maximum power dissipation is 1500 mW. It has a maximum collector emitter voltage of 60 V and a maximum emitter base voltage of 7 V. This bipolar junction transistor has an operating temperature range of -55 °C to 200 °C.
频率 175 MHz
额定电压DC 60.0 V
额定电流 2.00 A
极性 NPN
耗散功率 1 W
增益频宽积 175 MHz
击穿电压集电极-发射极 60 V
集电极最大允许电流 2A
额定功率Max 1 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 1500 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 E-Line-3
长度 4.77 mm
宽度 2.41 mm
高度 4.01 mm
封装 E-Line-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 200℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
ZTX651STZ Diodes 美台 | 当前型号 | 当前型号 |
ZTX651 美台 | 类似代替 | ZTX651STZ和ZTX651的区别 |
ZTX651STOA 美台 | 类似代替 | ZTX651STZ和ZTX651STOA的区别 |
BC239C 安森美 | 功能相似 | ZTX651STZ和BC239C的区别 |