ZXMD63N03XTA

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ZXMD63N03XTA概述

ZXMD63N02X 系列 30 V 0.135 Ohm 双 N-沟道 增强模式 MOSFET -MSOP-8

MOSFET - 阵列 2 N-通道(双) 30V 2.3A 1.04W 表面贴装型 8-MSOP


得捷:
MOSFET 2N-CH 30V 2.3A 8-MSOP


立创商城:
ZXMD63N03XTA


贸泽:
MOSFET Dual 30V N Chl HDMOS


艾睿:
Make an effective common source amplifier using this ZXMD63N03XTA power MOSFET from Diodes Zetex. Its maximum power dissipation is 1250 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging so that components can be mounted effectively. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C.


Allied Electronics:
Dual 30V N-Ch Enhanc. Mode MOSFET MSOP8


安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 2.3A 8-Pin MSOP T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 30V 2.3A 8-Pin MSOP T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 2.3A Automotive 8-Pin MSOP T/R


DeviceMart:
MOSFET 2N-CH 30V 2.3A 8-MSOP


Win Source:
MOSFET 2N-CH 30V 2.3A 8-MSOP


ZXMD63N03XTA中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 30.0 V

额定电流 2.40 A

通道数 2

漏源极电阻 135 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 1.25 W

阈值电压 1 V

输入电容 290 pF

栅电荷 8.00 nC

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 2.30 A

上升时间 4.1 ns

输入电容Ciss 290pF @25VVds

额定功率Max 1.04 W

下降时间 4.4 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1250 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 MSOP-8

外形尺寸

长度 3.1 mm

宽度 3.1 mm

高度 0.95 mm

封装 MSOP-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

数据手册

在线购买ZXMD63N03XTA
型号: ZXMD63N03XTA
制造商: Diodes 美台
描述:ZXMD63N02X 系列 30 V 0.135 Ohm 双 N-沟道 增强模式 MOSFET -MSOP-8
替代型号ZXMD63N03XTA
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