ZXMN7A11GTA

ZXMN7A11GTA图片1
ZXMN7A11GTA图片2
ZXMN7A11GTA图片3
ZXMN7A11GTA图片4
ZXMN7A11GTA图片5
ZXMN7A11GTA图片6
ZXMN7A11GTA图片7
ZXMN7A11GTA图片8
ZXMN7A11GTA概述

ZXMN7A11G 系列 70 V 0.13 Ohm N-沟道 增强模式 MOSFET - SOT-23-3

表面贴装型 N 通道 70 V 2.7A(Ta) 2W(Ta) SOT-223-3


得捷:
MOSFET N-CH 70V 2.7A SOT223


立创商城:
N沟道 70V 2.7A


贸泽:
MOSFET 70V N-Channel 3.8A MOSFET


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 70V 3.8A Automotive 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R


Allied Electronics:
MOSFET N-Channel 70V 3.8A SOT223


安富利:
Trans MOSFET N-CH 70V 3.8A 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 70V; 3A; 2W; SOT223


Verical:
Trans MOSFET N-CH 70V 3.8A Automotive 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R


Win Source:
MOSFET N-CH 70V 3.8A SOT-223


DeviceMart:
MOSFET N-CH 70V 3.8A SOT-223


ZXMN7A11GTA中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 70.0 V

额定电流 3.80 A

极性 N-CH

耗散功率 3.9 W

输入电容 298 pF

栅电荷 4.35 nC

漏源极电压Vds 70 V

连续漏极电流Ids 3.80 A

上升时间 2 ns

输入电容Ciss 298pF @40VVds

额定功率Max 2 W

下降时间 5.8 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3900 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 SOT-223-3

外形尺寸

长度 6.7 mm

宽度 3.7 mm

高度 1.65 mm

封装 SOT-223-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

数据手册

在线购买ZXMN7A11GTA
型号: ZXMN7A11GTA
制造商: Diodes 美台
描述:ZXMN7A11G 系列 70 V 0.13 Ohm N-沟道 增强模式 MOSFET - SOT-23-3

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台