ZVP2106G

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ZVP2106G概述

DIODES INC.  ZVP2106G  晶体管, MOSFET, P沟道, 450 mA, -60 V, 5 ohm, -10 V, -3.5 V

The is a -60V P-channel Enhancement Mode Vertical DMOSFET designed to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications.

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Low on-resistance
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Fast switching speed
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AEC-Q101 qualified
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UL94V-0 Flammability rating
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Halogen-free
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Green product
ZVP2106G中文资料参数规格
技术参数

针脚数 4

漏源极电阻 5 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 2 W

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 450 mA

工作温度Max 150 ℃

封装参数

引脚数 4

封装 SOT-223

外形尺寸

封装 SOT-223

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Cut Tape CT

制造应用 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买ZVP2106G
型号: ZVP2106G
制造商: Diodes 美台
描述:DIODES INC.  ZVP2106G  晶体管, MOSFET, P沟道, 450 mA, -60 V, 5 ohm, -10 V, -3.5 V
替代型号ZVP2106G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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