N沟道 60V 1.1A
通孔 N 通道 60 V 1.1A(Ta) 850mW(Ta) TO-92
得捷:
MOSFET N-CH 60V 1.1A TO92-3
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N沟道 60V 1.1A
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MOSFET Avalanche
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Trans MOSFET N-CH 60V 1.1A Automotive 3-Pin E-Line
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额定电压DC 60.0 V
额定电流 1.10 A
漏源极电阻 450 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 1.13 W
输入电容 350 pF
漏源极电压Vds 60 V
漏源击穿电压 60.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 1.10 A
上升时间 25 ns
输入电容Ciss 350pF @25VVds
额定功率Max 850 mW
下降时间 25 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1130 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-92-3
长度 4.77 mm
宽度 2.41 mm
高度 4.01 mm
封装 TO-92-3
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC