达林顿晶体管 Dual 120V PNP HighG
- 双极 BJT - 阵列 2 PNP 达林顿(双) 120V 1A 160MHz 2.75W 表面贴装型 SM8
得捷:
TRANS 2PNP DARL 120V 1A SM8
贸泽:
达林顿晶体管 Dual 120V PNP HighG
额定电压DC -120 V
额定电流 -4.00 A
极性 PNP
耗散功率 2.75 W
击穿电压集电极-发射极 120 V
集电极最大允许电流 1A
最小电流放大倍数hFE 3000 @1A, 5V
最大电流放大倍数hFE 3000
额定功率Max 2.75 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-223-8
长度 6.7 mm
宽度 3.7 mm
高度 1.6 mm
封装 SOT-223-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Cut Tape CT
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead