ZVP1320FTA 编带
P-Channel 200 V 80 Ohm Surface Mount Enhancement Mode Vertical DMOS FET-SOT-23
立创商城:
P沟道 200V 35mA
得捷:
MOSFET P-CH 200V 35MA SOT23-3
e络盟:
功率场效应管, MOSFET, 增强模式, P沟道, 200 V, 35 mA, 80 ohm, SOT-23, 表面安装
艾睿:
This ZVP1320FTA power MOSFET from Diodes Zetex can be used for amplification in your circuit. Its maximum power dissipation is 350 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging to allow for quick mounting and safe delivery. This P channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. This device is made with dmos technology.
Allied Electronics:
MOSFET P-Channel 200V 0.035A SOT23
安富利:
Trans MOSFET P-CH 200V 0.035A 3-Pin SOT-23 T/R
Chip1Stop:
Trans MOSFET P-CH 200V 0.035A 3-Pin SOT-23 T/R
TME:
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -0.035A; 0.35W; SOT23
Verical:
Trans MOSFET P-CH 200V 0.035A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Newark:
# DIODES INC. ZVP1320FTA MOSFET Transistor, Enhancement Mode, P Channel, -35 mA, -200 V, 80 ohm, -10 V, -1.5 V
儒卓力:
**P-CH MOS-FET 0,035A 200V SOT23 **
Win Source:
MOSFET P-CH 200V 0.035A SOT23-3
额定电压DC -200 V
额定电流 -35.0 mA
针脚数 3
漏源极电阻 80 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 330 mW
阈值电压 1.5 V
输入电容 50.0 pF
漏源极电压Vds 200 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 35.0 mA
上升时间 8 ns
输入电容Ciss 50pF @25VVds
额定功率Max 330 mW
下降时间 16 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 350mW Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
封装 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 电机驱动与控制, 车用, 电源管理, 音频
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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