ZVN4210GTA概述
DIODES INC. ZVN4210GTA 晶体管, MOSFET, 增强模式, N沟道, 800 mA, 100 V, 1.5 ohm, 10 V, 800 mV
The is a N-channel enhancement-mode Vertical DMOSFET with moulded plastic case and solderable matte tin annealed over copper lead-frame terminals as per MIL-STD-202 standard.
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- Halogen-free, Green device
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- Qualified to AEC-Q101 standards for high reliability
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- Moisture sensitivity level 1 as per J-STD-020
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- UL94V-0 Flammability rating
ZVN4210GTA中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 100 V
额定电流 800 mA
针脚数 4
漏源极电阻 1.5 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 2 W
阈值电压 800 mV
输入电容 100 pF
漏源极电压Vds 100 V
漏源击穿电压 100 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 800 mA
上升时间 8 ns
输入电容Ciss 100pF @25VVds
额定功率Max 2 W
下降时间 30 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2W Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 TO-261-4
外形尺寸
长度 6.55 mm
宽度 3.7 mm
高度 1.65 mm
封装 TO-261-4
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 车用, 国防, 军用与航空, 电源管理
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
军工级 Yes
REACH SVHC版本 2015/12/17