N沟道,Vdss=200V,Idss=60mA
MOSFET
立创商城:
N沟道 200V 60mA
得捷:
MOSFET N-CH 200V 60MA SOT23-3
e络盟:
功率场效应管, MOSFET, 增强模式, N沟道, 200 V, 60 mA, 25 ohm, SOT-23, 表面安装
艾睿:
Make an effective common source amplifier using this ZVN3320FTA power MOSFET from Diodes Zetex. Its maximum power dissipation is 330 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging to allow for quick mounting and safe delivery. This device utilizes dmos technology. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C.
Allied Electronics:
MOSFET N-Channel 200V 0.06A SOT23
安富利:
Trans MOSFET N-CH 200V 0.06A 3-Pin SOT-23 T/R
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 200V 0.06A 3-Pin SOT-23 T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH 200V 0.06A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Newark:
# DIODES INC. ZVN3320FTA MOSFET Transistor, Enhancement Mode, N Channel, 60 mA, 200 V, 25 ohm, 10 V, 1 V
儒卓力:
**N-CH MOS-FET 1A 200V SOT23 **
Win Source:
MOSFET N-CH 200V 60MA SOT23-3
额定电压DC 200 V
额定电流 60.0 mA
针脚数 3
漏源极电阻 25 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 330 mW
阈值电压 1 V
输入电容 45.0 pF
漏源极电压Vds 200 V
漏源击穿电压 200 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 60.0 mA
上升时间 7 ns
输入电容Ciss 45pF @25VVds
额定功率Max 330 mW
下降时间 6 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 330mW Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 3.04 mm
宽度 1.4 mm
高度 1.02 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 工业, 电源管理
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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