ZVN3306F参数规格_中文资料_数据手册PDF

ZVN3306F概述

DIODES INC. ZVN3306F 晶体管, MOSFET, N沟道, 150 mA, 60 V, 5 ohm, 10 V, 2.4 V

The is a N-channel enhancement mode Vertical DMOS FET.

Newark:
# DIODES INC. ZVN3306F MOSFET Transistor, N Channel, 150 mA, 60 V, 5 ohm, 10 V, 2.4 V

ZVN3306F中文资料参数规格

技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 5 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 330 mW

阈值电压 2.4 V

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 150 mA

工作温度Max 150 ℃

封装参数

引脚数 3

封装 SOT-23

外形尺寸

封装 SOT-23

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Cut Tape CT

制造应用电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买ZVN3306F

型号： ZVN3306F

制造商： Diodes 美台

描述：DIODES INC. ZVN3306F 晶体管, MOSFET, N沟道, 150 mA, 60 V, 5 ohm, 10 V, 2.4 V

替代型号ZVN3306F