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ZVN4106F概述

DIODES INC. ZVN4106F 晶体管, MOSFET, N沟道, 200 mA, 60 V, 2.5 ohm, 10 V, 3 V

The is a 60V N-channel Enhancement Mode Vertical DMOSFET with matte tin plated terminals solderable as per MIL-STD-202 standard, method 208.

Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin SOT-23

Newark:
# DIODES INC. ZVN4106F MOSFET Transistor, N Channel, 200 mA, 60 V, 2.5 ohm, 10 V, 3 V

ZVN4106F中文资料参数规格

技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 2.5 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 330 mW

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 200 mA

工作温度Max 150 ℃

封装参数

引脚数 3

封装 SOT-23

外形尺寸

封装 SOT-23

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Cut Tape CT

制造应用电源管理, 国防, 音频, 军用与航空, 车用, 电机驱动与控制

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

军工级 Yes

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买ZVN4106F

型号： ZVN4106F

制造商： Diodes 美台

描述：DIODES INC. ZVN4106F 晶体管, MOSFET, N沟道, 200 mA, 60 V, 2.5 ohm, 10 V, 3 V

替代型号ZVN4106F