ZXMN6A11DN8 系列 双 60 V 0.12 Ohm N-沟道 增强模式 MOSFET - SOIC-8
MOSFET - 阵列 2 N-通道(双) 60V 2.5A 1.8W 表面贴装型 8-SO
得捷:
MOSFET 2N-CH 60V 2.5A 8-SOIC
立创商城:
2个N沟道 60V 2.5A
e络盟:
双路场效应管, MOSFET, N沟道, 60 V, 3.2 A, 0.18 ohm, SOIC, 表面安装
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 3.2A Automotive 8-Pin SOIC T/R
Allied Electronics:
MOSFET Dual N-Channel 60V 3.2A SOIC8
安富利:
Trans MOSFET N-CH 60V 3.2A 8-Pin SOIC T/R
富昌:
ZXMN6A11DN8 系列 双 N 沟道 60 V 0.12 Ohm 功率MOSFET 表面贴装 - SOIC-8
Verical:
Trans MOSFET N-CH 60V 3.2A 8-Pin SOIC T/R
Newark:
# DIODES INC. ZXMN6A11DN8TA Dual MOSFET, Dual N Channel, 3.2 A, 60 V, 180 mohm, 10 V, 1 V
儒卓力:
**N-CH 60V 3A 120mOhm SO-8 **
Win Source:
MOSFET 2N-CH 60V 2.5A 8-SOIC
额定电压DC 60.0 V
额定电流 2.70 A
针脚数 8
漏源极电阻 0.18 Ω
极性 Dual N-Channel
耗散功率 2.1 W
阈值电压 1 V
漏源极电压Vds 60 V
漏源击穿电压 60.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 2.70 A
上升时间 3.5 ns
输入电容Ciss 330pF @40VVds
额定功率Max 1.25 W
下降时间 4.6 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1.8 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
封装 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 工业, 电机驱动与控制, Industrial, Power Management, Motor Drive & Control, 电源管理
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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