ZXMN6A11DN8TA

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ZXMN6A11DN8TA概述

ZXMN6A11DN8 系列 双 60 V 0.12 Ohm N-沟道 增强模式 MOSFET - SOIC-8

MOSFET - 阵列 2 N-通道(双) 60V 2.5A 1.8W 表面贴装型 8-SO


得捷:
MOSFET 2N-CH 60V 2.5A 8-SOIC


立创商城:
2个N沟道 60V 2.5A


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双路场效应管, MOSFET, N沟道, 60 V, 3.2 A, 0.18 ohm, SOIC, 表面安装


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Trans MOSFET N-CH 60V 3.2A Automotive 8-Pin SOIC T/R


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MOSFET Dual N-Channel 60V 3.2A SOIC8


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Trans MOSFET N-CH 60V 3.2A 8-Pin SOIC T/R


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ZXMN6A11DN8 系列 双 N 沟道 60 V 0.12 Ohm 功率MOSFET 表面贴装 - SOIC-8


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**N-CH 60V 3A 120mOhm SO-8 **


Win Source:
MOSFET 2N-CH 60V 2.5A 8-SOIC


ZXMN6A11DN8TA中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 60.0 V

额定电流 2.70 A

针脚数 8

漏源极电阻 0.18 Ω

极性 Dual N-Channel

耗散功率 2.1 W

阈值电压 1 V

漏源极电压Vds 60 V

漏源击穿电压 60.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 2.70 A

上升时间 3.5 ns

输入电容Ciss 330pF @40VVds

额定功率Max 1.25 W

下降时间 4.6 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1.8 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 工业, 电机驱动与控制, Industrial, Power Management, Motor Drive & Control, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买ZXMN6A11DN8TA
型号: ZXMN6A11DN8TA
制造商: Diodes 美台
描述:ZXMN6A11DN8 系列 双 60 V 0.12 Ohm N-沟道 增强模式 MOSFET - SOIC-8
替代型号ZXMN6A11DN8TA
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