ZVN4306GTA

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ZVN4306GTA概述

N沟道 60V 2.1A

表面贴装型 N 通道 60 V 2.1A(Ta) 3W(Ta) SOT-223


得捷:
MOSFET N-CH 60V 2.1A SOT223


立创商城:
N沟道 60V 2.1A


贸泽:
MOSFET N-Chnl 60V


艾睿:
Increase the current or voltage in your circuit with this ZVN4306GTA power MOSFET from Diodes Zetex. Its maximum power dissipation is 3000 mW. In order to ensure safe delivery and enable quick mounting of this component after delivery, it will be encased in tape and reel packaging during shipment. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This device is made with dmos technology. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C.


Allied Electronics:
MOSFET Dual N-Channel 60V 2.1A SOT223


安富利:
Trans MOSFET N-CH 60V 2.1A 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 60V 2.1A 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 60V 2.1A Automotive 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R


Win Source:
MOSFET N-CH 60V 2.1A SOT223


DeviceMart:
MOSFET N-CH 60V 2.1A SOT223


ZVN4306GTA中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 60.0 V

额定电流 2.10 A

漏源极电阻 0.22 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 3 W

阈值电压 1.3 V

输入电容 350 pF

漏源极电压Vds 60 V

漏源击穿电压 60.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 2.10 A

上升时间 25 ns

输入电容Ciss 350pF @25VVds

额定功率Max 3 W

下降时间 16 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 TO-261-4

外形尺寸

长度 6.7 mm

宽度 3.7 mm

高度 1.65 mm

封装 TO-261-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

ZVN4306GTA引脚图与封装图
ZVN4306GTA引脚图
ZVN4306GTA封装图
ZVN4306GTA封装焊盘图
在线购买ZVN4306GTA
型号: ZVN4306GTA
制造商: Diodes 美台
描述:N沟道 60V 2.1A
替代型号ZVN4306GTA
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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Diodes 美台

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