ZVNL110G 100 V 4.5 Ohm N 沟道 增强模式 垂直 DMOS FET - SOT-223
N-Channel 100V 600mA Ta 1.1W Ta Surface Mount SOT-223
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额定电压DC 100 V
额定电流 600 mA
通道数 1
漏源极电阻 4.5 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 2 W
输入电容 75.0 pF
漏源极电压Vds 100 V
漏源击穿电压 100 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 600 mA
上升时间 12 ns
输入电容Ciss 75pF @25VVds
额定功率Max 2 W
下降时间 13 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 2000 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 TO-261-4
长度 6.7 mm
宽度 3.7 mm
高度 1.65 mm
封装 TO-261-4
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
ZVNL110GTA Diodes 美台 | 当前型号 | 当前型号 |
ZVNL110GTC 美台 | 功能相似 | ZVNL110GTA和ZVNL110GTC的区别 |